Module công suất IGBT BSM100GD120DLC EUPEC 100A 1200V

BSM100GD120DN2 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Infineon Technologies sản xuất. Đây là một thiết bị bán dẫn được thiết kế cho các ứng dụng điều khiển công suất cao và chuyển mạch trong các hệ thống công nghiệp. Mô-đun IGBT như BSM100GD120DN2 thường được sử dụng trong các bộ biến tần, điều khiển động cơ và hệ thống cung cấp năng lượng.

Thông số Kỹ thuật Chính của BSM100GD120DN2

Loại: Mô-đun IGBT
Điện áp cực đại (Vce): 1200V
Dòng cực đại (Ic): 100A
Điện trở khi bật (Rce(on)): Khoảng 0.35Ω (tại nhiệt độ môi trường 25°C)
Công suất tỏa nhiệt tối đa (Ptot): 400W (tại điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường 25°C)
Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C

Đặc điểm

Điện áp cực đại cao: Có khả năng chịu đựng điện áp lên tới 1200V, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
Dòng điện cao: Có khả năng xử lý dòng điện lên tới 100A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
Điện trở khi bật thấp: Với điện trở khi bật thấp, mô-đun này giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.

Ứng dụng

Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển tốc độ và công suất của động cơ điện, đặc biệt trong các ứng dụng công nghiệp.
Điều khiển động cơ: Được dùng trong các bộ điều khiển động cơ để chuyển mạch và điều khiển dòng điện lớn.
Hệ thống cung cấp năng lượng: Thích hợp cho các ứng dụng cung cấp năng lượng công suất lớn trong các hệ thống điện tử công nghiệp.

Hỗ trợ tư vấn kỹ thuật,khắc phục sự cố & Báo giá thiết bị vui lòng gọi:

· Hotline : 0902148509

· Email: tancuongphatautomation@gmail.com